负责12英寸晶圆厂光刻、刻蚀、薄膜沉积设备的端到端管理，聚焦设备效率（OEE）、稳定性及工艺匹配性优化，支撑55nm-28nm逻辑芯片产线良率提升与产能爬坡。

• 主导ASML NXT:2000i光刻机预测性维护体系搭建，基于设备日志与振动传感器数据，运用Python开发机器学习模型（XGBoost算法），识别光源模块、双工件台的早期故障特征（如功率波动超±2%、定位误差＞0.5nm），将传统周期性PM调整为基于健康度的动态维护，年度停机时间从450小时压缩至337.5小时，OEE从78%提升至84%，支撑产线月投片量增加1.2万片。
• 解决TSV刻蚀机（应用材料Centura DPS II）腔室污染导致的良率跳变问题，通过SEM-EDS分析腔室内衬残留物成分（主要为Si/C聚合物），联合供应商开发钇稳定氧化锆（YSZ）涂层方案，同步调整工艺参数（射频功率从1500W降至1350W，压力从5mTorr升至7mTorr），使颗粒缺陷密度从0.8个/cm²降至0.2个/cm²，对应WAT（晶圆允收测试）良率提升6.5%（92%→98.5%）。
• 设计薄膜沉积设备（东京电子TEL SYC-3100）快速换型（SMED）方案，拆解换靶流程中的瓶颈（原人工吊装靶材耗时60分钟），定制电动升降工装与AGV自动运输路径，配套编制标准化SOP，将换型时间压缩至45分钟，支持多产品混线生产效率提升15%（月产能从8千片增至9.2千片）。
• 推动设备数据平台与MES系统深度集成，搭建包含温度、颗粒计数、射频功率等12项关键指标的实时监控看板，设置三级预警机制（黄/橙/红），实现设备异常提前4-6小时预警，全年减少非计划停机导致的晶圆报废1200片，直接经济损失降低约240万元。

负责8英寸晶圆厂刻蚀、离子注入设备的日常维护与性能优化，保障0.18μm-0.35μm模拟芯片产线稳定运行，重点解决设备一致性与工艺匹配问题。

• 针对应用材料Centura Etch刻蚀机刻蚀速率波动问题，建立射频匹配器阻抗-速率关联模型，通过替换高频电容（原10pF→12pF）与优化自动匹配算法（响应时间从500ms缩短至200ms），使速率均匀性从±3%提升至±1.5%，满足客户线宽精度±0.2μm要求（CD均匀性从2nm改善至1nm）。
• 参与Axcelis Optima HD离子注入机高能注入（200-300keV）升级项目，设计双级分子泵+低温泵组合抽气方案，配合腔壁DLC涂层处理，将抽气时间从35分钟降至20分钟，背景压力稳定在5e-9 Torr以下，支撑硼磷重掺杂工艺良率从88%提升至93%。
• 编制《设备故障根因分析（RCA）操作指南》，覆盖射频电源失效、剂量校准偏差等8类高频问题，组织团队开展FMEA培训6场，年度设备维修时长从4小时/次缩短至1.5小时/次，维修成本降低18%（120万元→98万元）。

协助资深工程师完成刻蚀、清洗设备的日常巡检、基础维护及数据记录，参与设备改进项目，积累半导体设备全生命周期管理经验。

• 执行AMAT Centura Clean刻蚀设备标准化点检（含真空度、气体流量、电极温度等15项参数），通过趋势分析提前发现气体管路微泄漏隐患3次，避免因颗粒污染导致的晶圆不良批次从月均5批降至1批。
• 配合完成KLA-Tencor光刻检查设备软件升级，负责测试数据采集与对比（缺陷检测灵敏度从0.1μm→0.08μm，误报率从8%→5%），输出验证报告支持升级决策，新设备导入周期缩短2周。
• 参与湿法清洗设备（Screen SP-500）化学品浓度监控优化，引入在线折光仪替代人工滴定，实现HF/H2SO4浓度实时调控（波动从±5%→±1%），清洗均匀性提升，对应产品良率稳定在95%以上。

12英寸FinFET工艺栅极刻蚀后鳍片损伤修复及良率提升项目

• 公司12英寸FinFET工艺线为客户代工高端手机SoC时，栅极刻蚀工序后鳍片顶部出现纳米级损伤，导致后续栅氧化层击穿良率仅82%，面临客户交付延迟风险。我的核心职责是定位损伤根源、主导工艺优化，目标将良率提升至92%以上并形成标准化方案。
• 关键难题在于平衡“栅极刻蚀选择比”与“刻蚀效率”——高选择比会降低刻蚀速率，而高刻蚀速率又会加剧鳍片损伤。通过KLA TeraScan 6360缺陷检测定位损伤集中在鳍片顶部10nm区域，结合应用材料Centura DPS II刻蚀机的PlasmaPilot等离子体仿真模型，发现2500W射频功率下离子轰击能量过高是主因。
• 我主导设计了23组正交实验，变量涵盖射频功率（2200-2500W）、Cl₂/Ar/O₂配比（120:80:5至100:70:8）及偏压频率（13.56MHz至60MHz）；同时引入基于TensorFlow的机器学习模型，整合实时工艺数据（等离子体密度、离子能量通量）预测刻蚀后损伤程度，实现参数动态闭环调整。
• 项目成功将鳍片顶部损伤深度从8nm降至<2nm，良率提升至93.5%（超目标1.5pct）；单月减少不良品损失120万美元，方案纳入公司FinFET工艺SOP，推广至上海、深圳两座fab厂，至今稳定运行18个月，支撑了3个头部手机客户的产品量产。

8英寸CIS工艺线像素单元金属污染治理及良率爬坡项目

• 公司新建8英寸CIS工艺线投产初期，像素单元暗电流超标导致良率仅75%，客户投诉率达12%。我的职责是整合光刻、刻蚀、清洗工序，定位金属污染来源并推动解决，目标良率提升至88%以上。
• 难点在于金属残留量低于EDS检测限（<1e10 atoms/cm²），传统分析手段无法精准溯源。通过SEMATECH暗电流测试系统关联失效像素位置，结合XPS深度剖析发现残留金属为Al（来自光刻胶添加剂），且主要残留在像素隔离氧化层表面。
• 我牵头跨部门（光刻、清洗、质量）制定改进方案：推翻原“浸泡式光刻胶剥离”工艺，改用“喷淋式剥离+兆声波清洗”组合；优化剥离液配方（添加2%非离子表面活性剂增强润湿性），将剥离时间从60秒延长至90秒，同时把兆声波功率从50W提升至70W，使金属残留量降至<5e9 atoms/cm²（低于客户规格）。
• 项目将良率从75%提升至89.2%（超目标1.2pct），单季度营收增加800万美元；方案获公司“年度技术创新奖”，工艺文档被写入CIS工艺入门手册，成为后续新人培训的核心案例，也为公司承接车载CIS订单奠定了工艺基础。

支教时发现乡村小学因缺乏实验器材，科学课多停留在课本讲解。返校后联合实验室开发出百元级科学实验背包，内含20个基础实验器材。为确保可持续运营，设计配套视频课程与城乡结对系统，并培训132名大学生担任远程助教。项目覆盖9省47所学校后，学生科学兴趣评分提升35%。这段经历教会我用产品思维解决社会问题，当看到孩子们用自制望远镜发现土星光环时，我理解了教育的真谛是点燃可能性。