负责物联网终端射频前端方案设计与全流程调试，覆盖4G Cat.1/5G RedCap模块，主导关键指标验证、EMC整改及量产导入，支撑产品从研发到交付的技术闭环。

• 主导4G Cat.1模组射频前端设计，基于ADS完成LNA（Qorvo QPL9505）+ PA（Skyworks SKY77604）+ 滤波器（TAI-SAW TS169）匹配网络仿真，采用π型拓扑优化50Ω阻抗匹配，解决2.4GHz Wi-Fi同频杂散干扰问题；通过微调级间电容值（C1从10pF调至12pF），将杂散抑制从-45dBc提升至-60dBc，一次性通过CE/FCC Part 15C认证。
• 负责5G RedCap低功耗场景射频优化，结合史密斯圆图分析PA工作效率曲线（PAE峰值仅38%），更换GaN HEMT器件（Qorvo QPD1004）并调整偏置电路（Vcc从3.8V降至3.6V），使待机电流从8mA降至5.2mA，整机续航延长25%；通过OTA暗室测试验证，-105dBm灵敏度下覆盖距离提升15%。
• 主导射频PCB Layout评审，制定50Ω阻抗控制规则（Er=4.4±0.05，H=0.8mm），采用ADS SI9000仿真差分线间距（≥4mil）与层叠结构（顶层微带线+第二层地平面），解决高速时钟信号（19.2MHz）串扰问题；量产版本驻波比稳定在1.2以下，SMT良率从95%提升至98.5%。
• 处理海外客户定制需求，针对印度市场700MHz频段灵敏度不足（-104dBm）问题，仿真并验证村田（Murata）SAW滤波器替换方案（原用TAI-SAW），插入损耗从3.2dB降至2.8dB，噪声系数从2.1dB优化至1.8dB，最终灵敏度达到-102dBm，优于客户指标3dB。

参与物联网通信模块射频子系统开发，负责中频电路设计与调试，支持从原理图到量产的全周期交付，聚焦性能达标与成本控制。

• 核心参与NB-IoT双模（800/900MHz）模块开发，使用Keysight E5071C网络分析仪校准射频链路（损耗≤3dB），优化巴伦（Mini-Circuits TCM1-63X+）与耦合器（Marki Microwave C1-10）匹配，将发射功率平坦度从±1.5dB压缩至±0.8dB，接收通道噪声系数从2.5dB降至2.0dB，满足ETSI EN 302 065标准。
• 解决量产阶段射频一致性难题，通过统计过程控制（SPC）分析焊接温度对MLCC容值的影响（温漂±10%→±3%），调整回流焊曲线（峰值温度从245℃降至235℃，保温时间延长10s），使VSWR超标的不良率从3%降至0.5%，月度量产良率稳定在97%以上。
• 设计EMC防护方案，在射频输入口增加铁氧体磁珠（BLM18HG102SN1）与TVS管（SMF05C），结合屏蔽罩接地优化（单点接地改为多点接地），使模块通过IEC 61000-4-3辐射抗扰度测试（Level 3，场强10V/m），客户现场故障投诉率下降40%。

协助完成射频模块测试与调试，参与原理图设计与样品验证，积累射频电路基础经验，支撑团队完成基础研发任务。

• 协助完成2G GSM模块射频测试，使用安捷伦频谱仪（N9020A）测量输出功率（+33dBm±2dB）与谐波（二次谐波≤-36dBc），定位PA供电纹波过大问题（峰峰值800mV→200mV），通过增加100μF去耦电容，使二次谐波抑制从-35dBc提升至-45dBc，顺利通过入网测试。
• 参与射频器件选型，对比Qorvo QPL9005与Murata MAFL-010128的SAW滤波器参数，建立器件库模型（插入损耗、带外抑制、Q值），输出选型报告并推荐Qorvo方案，缩短选型周期30%，后续项目复用率达80%。
• 制作射频测试夹具，使用Altium Designer绘制PCB Layout（2层板，尺寸50mm×30mm），完成射频探针（GGB Industries 150Ω）连接与校准，支持团队完成50+次样品调试，保障项目进度偏差≤5%。

面向运营商的5G室分小基站高可靠电源系统重构项目

• 项目背景：公司为承接中国移动5G室分小基站规模化部署项目，原采用的硅基LDO电源方案存在效率低（峰值仅65%）、散热不足（满载温升达45℃）、无法适配1U紧凑机框的问题，无法满足运营商对设备可靠性与小型化的要求。我的核心职责是主导电源系统的全架构重构，兼顾高效率、小体积与工业级可靠性。
• 关键难题与技术：1. 5G PA模块峰值功耗12A，传统硅MOSFET的导通损耗与开关损耗占比达35%，导致电源效率低下；2. 1U机框内电源组件需压缩至30mm×50mm空间，传统分立方案（电感、电容、MOSFET分散布局）无法满足；3. 多电压轨（1.8V/3.3V/5V）需同时满足纹波≤50mV与负载跳变（0-100%阶跃）时电压跌落≤300mV的要求。
• 核心行动与创新：1. 技术选型阶段，通过LTspice搭建GaN FET与硅MOSFET的损耗对比模型，验证GaN器件可将导通电阻降低至12mΩ（硅器件为35mΩ），同步整流Buck电路效率提升至88%；2. 针对空间限制，采用TI的TPS546D24A集成PMIC+分布式陶瓷电容布局，将电源模块体积缩小28%；3. 自主设计自适应纹波抑制算法，通过MCU读取输出电压波动，实时调整输出电感的DCR补偿参数，将负载阶跃时的电压跌落降至180mV以内。
• 量化成果与价值：重构后的电源系统效率较原方案提升23%，满载温升降至22℃，通过中国移动的工业级可靠性测试（-40℃~85℃高低温循环、85℃/85%RH湿热测试）；支撑公司拿下3个省份的5G室分项目，累计销售额超2000万元；个人获公司“年度技术突破奖”，并形成《5G小基站高功率密度电源设计指南》内部标准。

面向智能制造的多协议工业物联网网关硬件量产优化项目

• 项目背景：公司为某头部汽车零部件厂商定制工业物联网网关，要求支持LoRa/4G/NB-IoT多协议接入、宽温工作（-40℃~85℃）、单台成本控制在800元以内。我作为核心硬件工程师，负责从原型验证到批量量产的全流程硬件设计与问题解决。
• 关键难题与技术：1. 多协议接口（RS485/CAN/USB）共存时，LoRa通信受RS485总线的传导干扰影响，误码率达10^-3，无法满足工业场景的可靠性要求；2. 输入电压波动±20%（9-15V）时，5V主电源纹波超80mV，导致MCU频繁重启；3. 初期PCB量产良率仅85%，主要问题是BGA芯片（如STM32H743）周围焊盘虚焊。
• 核心行动与创新：1. EMC设计阶段，参考IEC 61000-4-6传导抗扰度标准，为RS485/CAN总线增加共模电感（100μH）+ TVS管（SM712），并在LoRa天线端增加金属屏蔽罩，将误码率降至10^-6以下；2. 电源设计上，采用双路LDO冗余架构（TPS7A8300+LM1117），输入侧增加π型滤波器（10μH电感+100μF电容），将纹波降至40mV；3. 协同PCB厂家优化生产工艺：将BGA焊盘尺寸增大10%（从0.8mm调整至0.88mm），钢网开口率从80%提升至90%，回流焊温度曲线增加“冷却区”减速段（从2℃/s降至1.5℃/s），良率提升至98%。
• 量化成果与价值：网关通过工业级EMC认证（CE-EMC、FCC Part 15），支持客户完成10万台订单交付，现场故障率低于0.1%；个人掌握工业物联网硬件从原型到量产的全链路优化方法，将项目量产转化周期缩短40%；后续该平台成为公司工业网关的基础架构，衍生出3款不同规格的产品，累计销售额超5000万元。

• 大二观察到毕业生离校时大量教材被废弃，而新生购书支出占生活费12%，便发起校园书籍教材循环计划。为解决传统二手书交易效率低的问题，我们开发微信小程序实现扫码估价、预约取件功能，并说服快递中心以成本价承接物流。
• 通过建立翻新消毒标准打消卫生顾虑，项目年流通教材1.2万册，累计为同学节省书费38万元。这段经历让我从商业小白成长为能设计闭环模式的实践者，项目不仅获省级创业金奖，更被纳入学校官方服务体系延续至今。