负责物联网终端射频前端方案设计与全流程调试，覆盖4G Cat.1/5G RedCap模块，主导关键指标验证、EMC整改及量产导入，支撑产品从研发到交付的技术闭环。

• 主导4G Cat.1模组射频前端设计，基于ADS完成LNA（Qorvo QPL9505）+ PA（Skyworks SKY77604）+ 滤波器（TAI-SAW TS169）匹配网络仿真，采用π型拓扑优化50Ω阻抗匹配，解决2.4GHz Wi-Fi同频杂散干扰问题；通过微调级间电容值（C1从10pF调至12pF），将杂散抑制从-45dBc提升至-60dBc，一次性通过CE/FCC Part 15C认证。
• 负责5G RedCap低功耗场景射频优化，结合史密斯圆图分析PA工作效率曲线（PAE峰值仅38%），更换GaN HEMT器件（Qorvo QPD1004）并调整偏置电路（Vcc从3.8V降至3.6V），使待机电流从8mA降至5.2mA，整机续航延长25%；通过OTA暗室测试验证，-105dBm灵敏度下覆盖距离提升15%。
• 主导射频PCB Layout评审，制定50Ω阻抗控制规则（Er=4.4±0.05，H=0.8mm），采用ADS SI9000仿真差分线间距（≥4mil）与层叠结构（顶层微带线+第二层地平面），解决高速时钟信号（19.2MHz）串扰问题；量产版本驻波比稳定在1.2以下，SMT良率从95%提升至98.5%。
• 处理海外客户定制需求，针对印度市场700MHz频段灵敏度不足（-104dBm）问题，仿真并验证村田（Murata）SAW滤波器替换方案（原用TAI-SAW），插入损耗从3.2dB降至2.8dB，噪声系数从2.1dB优化至1.8dB，最终灵敏度达到-102dBm，优于客户指标3dB。

参与物联网通信模块射频子系统开发，负责中频电路设计与调试，支持从原理图到量产的全周期交付，聚焦性能达标与成本控制。

• 核心参与NB-IoT双模（800/900MHz）模块开发，使用Keysight E5071C网络分析仪校准射频链路（损耗≤3dB），优化巴伦（Mini-Circuits TCM1-63X+）与耦合器（Marki Microwave C1-10）匹配，将发射功率平坦度从±1.5dB压缩至±0.8dB，接收通道噪声系数从2.5dB降至2.0dB，满足ETSI EN 302 065标准。
• 解决量产阶段射频一致性难题，通过统计过程控制（SPC）分析焊接温度对MLCC容值的影响（温漂±10%→±3%），调整回流焊曲线（峰值温度从245℃降至235℃，保温时间延长10s），使VSWR超标的不良率从3%降至0.5%，月度量产良率稳定在97%以上。
• 设计EMC防护方案，在射频输入口增加铁氧体磁珠（BLM18HG102SN1）与TVS管（SMF05C），结合屏蔽罩接地优化（单点接地改为多点接地），使模块通过IEC 61000-4-3辐射抗扰度测试（Level 3，场强10V/m），客户现场故障投诉率下降40%。

协助完成射频模块测试与调试，参与原理图设计与样品验证，积累射频电路基础经验，支撑团队完成基础研发任务。

• 协助完成2G GSM模块射频测试，使用安捷伦频谱仪（N9020A）测量输出功率（+33dBm±2dB）与谐波（二次谐波≤-36dBc），定位PA供电纹波过大问题（峰峰值800mV→200mV），通过增加100μF去耦电容，使二次谐波抑制从-35dBc提升至-45dBc，顺利通过入网测试。
• 参与射频器件选型，对比Qorvo QPL9005与Murata MAFL-010128的SAW滤波器参数，建立器件库模型（插入损耗、带外抑制、Q值），输出选型报告并推荐Qorvo方案，缩短选型周期30%，后续项目复用率达80%。
• 制作射频测试夹具，使用Altium Designer绘制PCB Layout（2层板，尺寸50mm×30mm），完成射频探针（GGB Industries 150Ω）连接与校准，支持团队完成50+次样品调试，保障项目进度偏差≤5%。

5G小基站高可靠性射频前端模块设计与量产攻关项目

• 公司为国内三大运营商提供5G小基站产品时，射频前端模块因3.5GHz/5GHz高频段阻抗匹配波动、多芯片集成热积累问题，现场故障率达8%，无法满足运营商MTBF≥10万小时的要求。我的核心职责是主导模块的端到端设计、验证及量产导入，解决可靠性与工艺一致性问题。
• 项目面临三大挑战：一是高频下匹配网络受温度/工艺波动影响大，阻抗偏差超±0.5Ω；二是PA/LNA/滤波器多芯片集成后热密度达15W/cm²，传统散热方案无法压降温度；三是代工厂SMT工艺一致性差，批次间插入损耗偏差超1dB。
• ① 用ADS建立三维电磁-热耦合模型，优化π型匹配网络并引入温度补偿电容阵列，将阻抗波动控制在±0.1Ω内；② 设计“石墨散热片+铜基板+导热胶”多层结构，结合热仿真调整芯片布局，热密度降至8W/cm²，模块表面温度从75℃降至55℃；③ 制定《射频前端模块DFM规范》，明确钢网开口、回流焊曲线等12项关键工艺，与代工厂联合优化后，批次间偏差降至0.3dB。
• 模块MTBF提升至12万小时，量产良率从85%升至95%，支撑公司拿到中国移动、中国联通3个省份的小基站订单（总金额5200万元）。我主导打通“设计-仿真-验证-量产”全流程，建立了射频前端高可靠性设计标准，成为公司5G小基站核心产品负责人。

4G LTE宏基站高功率密度电源模块优化项目

• 公司现有4G宏基站电源模块效率仅92%、体积1U×19英寸×3U，无法满足东南亚运营商“体积缩小20%+效率≥95%”的要求，制约产品海外拓展。我的职责是重新设计电源模块，解决效率与体积的矛盾。
• 项目难点在于：高功率密度下LLC谐振变换器EMI超标；GaN FET高频开关导致驱动电路复杂；小体积下散热路径受限易过热。
• ① 采用LLC谐振拓扑+650V/100A GaN FET，将开关频率提至1MHz，效率升至96%；② 设计差分驱动电路+栅极电阻网络，抑制GaN电流尖峰，EMI传导干扰从40dBμV降至30dBμV以下；③ 用Altium Designer做3D PCB堆叠设计，将电感/电容垂直布局，结合铝制散热鳍片，体积缩小至1U×19英寸×2.4U（体积减25%）。
• 优化后的模块支撑公司宏基站进入泰国、马来西亚等3个东南亚国家，海外订单量增长30%。我主导了电源模块全流程设计，突破高功率密度下的散热与EMI瓶颈，积累了GaN器件应用经验，为后续5G电源模块开发奠定基础。

• 因痛心于年轻人对历史的疏离，我在B站创立「古人脱口秀」栏目，用职场梗解构历史事件（如《雍正皇帝的KPI保卫战》）。通过设计「颠覆认知-史料佐证-现代共鸣」三幕剧本模板，单期视频最高收获1.7万条弹幕互动。
• 两年间栏目播放量突破180万，作品被多地中学选为教学素材。这段经历磨砺出将学术内容转化为大众语言的能力，也让我理解到真实用户反馈才是创作者的指南针。