负责5G基站用高功率密度电源模块全周期开发,涵盖需求分析、拓扑设计、热管理优化、EMC认证及量产导入,支撑基站主设备10kW级供电系统升级。
- 主导48V转1.0V/300A超高压差LLC谐振电源模块设计,基于Saber完成多拓扑仿真对比,选定双管正激+同步整流方案,引入GaN HEMT器件(650V/300A)将开关频率从100kHz提升至300kHz,配合平面变压器磁集成设计,模块体积较上一代减小30%(从120mm×80mm×25mm降至85mm×60mm×20mm),转换效率达96.2%(满载工况)。
- 针对基站严苛环境(-40℃~85℃)下的热失效问题,采用ANSYS Icepak搭建三维热模型,识别功率MOSFET、变压器为热集中点;通过优化PCB铜箔厚度(从2OZ增至4OZ)、增设均热板(导热系数≥5000W/m·K)及调整散热片齿距(从2mm加密至1.5mm),关键器件结温从105℃降至89℃,高温85℃工况下MTBF从10万小时提升至15万小时。
- 解决EMC认证瓶颈:初版样机传导骚扰(CISPR 32 Class B)在150kHz~30MHz频段超标10dB;通过Simplorer建立电源-线缆耦合模型,分析共模电流路径,调整输入π型滤波器参数(X电容从10μF增至47μF,共模电感从2mH增至5mH),并在输出端增加铁氧体磁环抑制高频噪声,最终测试值低于限值3dB,一次性通过认证。
- 主导量产导入阶段DFM优化,编制《高功率密度电源模块PCB Layout规范》,明确大电流路径铜厚≥105μm、关键器件间距≥0.5mm等12项关键指标;推动供应商导入0.1mm间距QFN封装GaN器件自动贴装工艺,量产良率从88%提升至95%,单模块成本下降18%。